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热点题型07晶胞计算(原卷版)_05-化学-高考总复习_专项复习_2025年_2025年高考化学重难点讲义专练(新高考通用)

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热点题型07 晶胞计算
1.晶胞分析的方法——均摊法
晶胞
平行四面体
正六棱柱
正三棱柱
均摊
规则
顶点1
8;棱上1
4 ;面心1
2;体
内1。
顶点1
6;水平棱1
4 ,竖直棱1
3
;面心1
2;体内1。
顶点1
12;水平棱1
4 ,竖直棱
1
6;面心1
2;体内1。
2.晶体密度及粒子间距离的计算方法
(1)计算晶体密度的方法
(2)计算晶体中粒子间距离
①分析思路
②常见堆积模型粒子之间的距离(a 为晶胞参数,r 为粒子半径)
简单立方
体心立方
面心立方
六方密堆积
金刚石型
a=2r
√3a=4r
√2a=4r
a=2r
√3a=8r
3.常见离子晶体结构分析
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晶胞
配位数及影响因素
密度的计算(a 为晶胞边长,NA
为阿伏加德罗常数)
配位数
影响因素
NaCl 型
6
阳离子与阴离子的
半径比值越大,配
位数越多,另外配
位数还与阴、阳离
子的电荷比有关等 
4×58.5
N A×a
3
CsCl 型
8
168.5
N A×a
3
ZnS 型
4
4×97
N A×a
3
CaF2型
F-:4
Ca2+:8
4×78
N A×a
3
4.运用立体几何模型突破原子坐标参数难题
(1)要看懂晶胞模型,找到原点
以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称作原子分数坐标,例如图中原子1
的坐标为(
1
2 ,1
2 ,1
2)
,则原子2 和3 的坐标分别为(
1
2 ,1
2 ,0)
、(0,0,1
2)
。
没有给出原点,我们需要看坐标系提示的方向:
,确定原子4 的坐标为(0,0,0)。
(2)确定顶点坐标
顶点坐标一般在三个方向上都占坐标单位的整数值,如图,确定原子1~8 的坐标:1(0,0,0),2(0,1,
0),3(1,1,0),4(1,0,0),5(0,0,1),6(0,1,1),7(1,1,1),8(1,0,1)。
2
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(3)确定体心的坐标
如图,9 原子位于体心,分别占据三个方向坐标单位的一半,因此原子9 的坐标为(
1
2 ,1
2 ,1
2)
。
(4)确定面心的坐标
如图所示,原子10~15 分别位于六个面的面心,原子1 的坐标为(0,0,0),则确定坐标参数:
10(0,1
2 ,1
2)
,11(
1
2 ,1
2 ,1)
,12(1,1
2 ,1
2)
,
13(
1
2 ,1
2 ,0)
,14(
1
2 ,0,1
2)
,15(
1
2 ,1,1
2)
(5)特殊位置原子坐标参数
如图,金刚石晶胞,试确定原子1~4 的坐标参数。
3
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原子1~4 位于晶胞内,但是不位于体心,在x 轴上,原子1、2 位于1
4
位置,原子3、4 位于3
4
位置,x
轴、y 轴俯视图如图。
以此类推:x 轴、z 轴俯视图如图所示。
按照此方法我们可以确定原子坐标:1(
1
4 ,1
4 ,1
4)
,2(
1
4 ,3
4 ,3
4)
,3(
3
4 ,1
4 ,3
4)
,4
(
3
4 ,3
4 ,1
4)
。
(建议用时:40 分钟)
4
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考向
 
  01
   晶胞微粒化学式
 
 
1.(2024·湖南卷)
是一种高活性的人工固氮产物,其合成反应为
,晶胞如图所示,下列说法错误的是
A.合成反应中,还原剂是
和C
B.晶胞中含有的
个数为4
C.每个
周围与它最近且距离相等的
有8 个
D.
为V 型结构
2.(2024·湖北卷)黄金按质量分数分级,纯金为
。
合金的三种晶胞结构如图,Ⅱ和Ⅲ是立方
晶胞。下列说法错误的是
A.I 为
金
B.Ⅱ中
的配位数是12
C.Ⅲ中最小核间距
D.I、Ⅱ、Ⅲ中,
与
原子个数比依次为
、
、
3.(2025·湖北省黄冈市·一模)某锂离子电池电极材料结构如图。结构1 是钴硫化物晶胞的一部分,可代
表其组成和结构;晶胞2 是充电后的晶胞结构;所有晶胞均为立方晶胞。下列说法正确的是
5
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A.结构1 钴硫化物的化学式为
B.晶胞3 是由晶胞2 沿棱平移
个单位得到的
C.晶胞2 中
位于S 构成的八面体空隙中
D.晶胞2 中
与
的最短距离为
4.(2024·吉林卷)某锂离子电池电极材料结构如图。结构1 是钴硫化物晶胞的一部分,可代表其组成和
结构;晶胞2 是充电后的晶胞结构;所有晶胞均为立方晶胞。下列说法错误的是
A.结构1 钴硫化物的化学式为
B.晶胞2 中S 与S 的最短距离为
C.晶胞2 中距
最近的S 有4 个
D.晶胞2 和晶胞3 表示同一晶体
考向
 
  02
   晶胞原子坐标投影
 
 
5.(2024·吉林省长春市·一模)朱砂(硫化汞)在众多先秦考古遗址中均有发现,其立方晶系β 型晶胞如下
图所示,晶胞参数为anm,A 原子的分数坐标为(0,0,0),阿伏加德罗常数的值为NA,下列说法正确的是
A.S 原子的配位数是8
B.晶胞中B 原子分数坐标为
6
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C.该晶体的密度是ρ=
D.相邻两个Hg 的最短距离为
anm
6.(2024·广西名校联盟·联考)合成某种脱氢催化剂的主要成分之一为立方ZnO,其晶胞结构如图,已知
晶体密度为
,a 的分数坐标为
,设阿伏加德罗常数的值为
。下列说法错误的是
A.与
最近的
有12 个
B.若以
为顶点重新取晶胞,
位于晶胞的面心和体心
C.
之间的最短距离为
D.b 的分数坐标为
7.(2025·湖北省新八校协作体·联考)研究人员制备了一种具有锂离子通道的导电氧化物
,
其立方晶胞和导电时
迁移过程如下图所示。已知该氧化物中
为
价,
为
价。下列说法错误的
是
A.
位于O 原子形成的正八面体空隙
7
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B.若
与空位的个数比为
C.
立方晶胞在体对角线方向上的投影图为
D.导电时,空位移动方向与电流方向相反
8.(2024·山西省运城市·调研)朱砂(硫化汞)在众多先秦考古遗址中均有发现,其立方晶系型晶胞如下图
所示,晶胞参数为a nm,A 原子的分数坐标为
,阿伏加德罗常数的值为
,下列说法不正确的是
A.S 的配位数是4
B.晶胞中B 原子分数坐标为
C.该晶体的密度是
g/cm3
D.相邻两个Hg 的最短距离为
nm
考向
 
  03
   晶胞密度距离计算
 
 
9.(2024·河北卷)金属铋及其化合物广泛应用于电子设备、医药等领域。如图是铋的一种氟化物的立方
晶胞及晶胞中MNPQ 点的截面图,晶胞的边长为
为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是
8
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A.该铋氟化物的化学式为
B.粒子S、T 之间的距离为
C.该晶体的密度为
D.晶体中与铋离子最近且等距的氟离子有6 个
10.(2024·陕西省·一模)磷化硼是一种半导体材料,其晶胞结构如下图所示。已知阿伏加德罗常数的值
为NA,下列说法错误的是
A.晶胞结构中,硼原子的配位数为4
B.磷化硼为分子晶体
C.硼原子与磷原子间的最短距离为
nm
D.磷化硼晶体
g·cm-3
11.(2025·河北省石家庄市·一模)
和O 形成的一种化合物的晶胞结构如图甲所示。晶胞边长为
为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是
9
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A.该化合物的化学式为
B.该晶体的密度为
C.晶胞中与
等距且最近的
有4 个
D.图乙是该晶体晶胞结构的另一种表示
12.(2024·四川省绵阳市·一模)
晶体的一种立方晶胞如图。已知:
与O 最小间距大于
与
O 最小间距,x、y 为整数,两个“○”之间的最短距离为b
。下列说法错误的是
A.x=1,y=3
B.
周围最近的O 原子数目为12
C.图中体心位置“
”一定代表
D.晶体的密度为
考向
 
  04
   晶胞综合考查
 
 
13.(2024·广西卷)一定条件下,存在
缺陷位的LiH 晶体能吸附
使其分解为N,随后N 占据缺陷位
(如图)。下列说法错误的是
A.
B.半径:
C.
D.LiH 晶体为离子晶体
10
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14.(2024·重庆卷)储氢材料
的晶胞结构如图所示,
的摩尔质量为
,阿伏加德罗常
数的值为
。下列说法正确的是
A.
的配位数为2
B.晶胞中含有2 个
C.晶体密度的计算式为
D.
(i)和
(ii)之间的距离为
15.(2024·江西卷)NbO 的立方晶胞如图,晶胞参数为anm,P 的分数坐标为(0,0,0),阿伏加德罗常数
的值M 为NA,下列说法正确的是
A.Nb 的配位数是6
B.Nb 和O 最短距离为
anm
C.晶体密度
D.M 的分数坐标为
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16.(2024·湖南省娄底市·二模)黄铜矿是一种铜铁硫化物矿物,是炼铜的最主要矿物原料,中国商代或
更早就已由黄铜矿等铜矿物炼铜,其最常见的四方晶系晶胞结构如图所示,下列说法错误的是
A.该晶体的化学组成可表示为
B.若a 原子的分数坐标为
,则b 原子的分数坐标为
C.基态Cu 原子价层电子排布式为3d104s1
D.若该晶胞体积为
,则单位体积含Cu 质量的计算式为:
17.(2024·河北衡水·调研)某种离子型铁的氧化物晶胞如图所示,它由A、B 单元组成。若通过
嵌入
或脱嵌晶胞的棱心和体心,可将该晶体设计为某锂电池的正极材料。
已知:脱嵌率
。下列说法错误的是
A.A 单元中,体心位置的
位于
形成的四面体空隙中
B.充电时,该锂电池的正极反应为
C.若该正极材料中
,则脱嵌率为50%
D.
中M 原子分数坐标为(0,0,0),则
中Q 原子分数坐标为(
)
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18.(2024·湖南省衡阳四中·一模)砷化镓(GaAs)的晶胞结构如图甲所示。将Mn 掺杂到晶体中得到稀磁
性半导体材料,其晶胞结构如图乙所示。下列说法错误的是
A.图甲中,Ga 位于As 原子构成的正四面体空隙中
B.图甲中,Ga-As 的键长为a pm,则晶胞边长为
 
C.基态As 原子的价电子排布式4s24p3
D.稀磁性半导体材料中,Mn、As 的原子个数比为1 2∶
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