从算力到存力 | AI观察
2026年一季报披露收官，存储产业链交出了一份堪称”史诗级”的成绩单。存储正从过去的”成本部件”跃升为AI基础设施的”战略物资”，”从算力到存力”的产业逻辑在财报数字中得到了最硬核的验证。
一
Q1财报爆炸
以下6家覆盖设计、模组、分销、接口芯片的龙头企业，一季度业绩集体井喷：
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| 兆易创新 |
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+522.79% |
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| 香农芯创 |
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+7835.06% |
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| 江波龙 |
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+2644.05% |
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| 佰维存储 |
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扭亏为盈 |
AI端侧存储（智能穿戴、AI眼镜）收入同比增近5倍
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| 德明利 |
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扭亏为盈 |
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| 澜起科技 |
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这并非个案。整个存储板块呈现”从下游分销到上游设计，从消费级到企业级”的全链路爆发，其烈度在近十年存储周期中前所未见。
二
为什么存储成了AI的咽喉？
1. 打破”存储墙”：算力再强，没有存力就是无米之炊
在经典冯·诺依曼架构中，处理器性能飞速提升，但存储器的数据访问速度已成为系统瓶颈，即”存储墙”。AI大模型训练需频繁访问海量参数，传统内存带宽难以满足。高带宽内存（HBM）通过3D堆叠与先进封装，将带宽提升至传统DDR5的10倍以上，成为GPU的”刚需配套”。
2. AI服务器的”存力”价值量是传统服务器的8倍
单台AI服务器对DRAM的需求量是传统服务器的8倍，NAND Flash需求是3倍；单台AI服务器的存储芯片总价值可达3.2万美元，是传统服务器的8倍以上。当全球AI服务器出货量2026年预计同比增长超20%时，存储需求的放大效应呈几何级数传导。
3. 产能结构性转移：HBM挤占通用存储
三星、SK海力士、美光三大厂占据全球超90%的DRAM份额。自2025年下半年起，巨头们将绝大部分先进制程产能转向高利润的HBM与DDR5，系统性压缩消费级存储产能。截至一季度末，头部厂商的DRAM与NAND库存已降至约4周，远低于8-12周的安全库存水平。HBM产能更是被预订一空，美光甚至因HBM产能挤占而计划削减30%-40%的游戏GPU产量。
三
一个需求缺口的超级周期
价格涨幅：2026年Q1常规DRAM合约价涨幅从年初预估的55%-60%上调至90%-95%，NAND Flash涨幅从33%-38%上调至55%-60%。
供需缺口：高盛预测2026年全球DRAM供需缺口达4.9%，NAND缺口4.2%，HBM缺口更高达5.1%，均为近15年之最。
产能刚性：存储芯片扩产周期长达1.5-2年，2023年行业低谷期厂商大幅削减资本开支，导致2026年全球存储产能增速仅7.5%，远低于需求增速。新增产能普遍要到2027-2028年才能释放。
世界半导体贸易统计组织（WSTS）数据显示，2025年全球存储芯片销售额达2300亿美元，同比增长39%；Gartner预计2026年全球存储芯片销售额将达到6333亿美元。存储行业的价值重心，正从”容量”向”带宽与能效”全面迁移。
四
从云端到端侧
Q1的爆发只是起点。接下来的AI存储市场，将在四个维度持续验证”存力”逻辑：
1. 从训练到推理：大模型落地催生持续性需求
当前AI正从云端训练走向大规模推理与场景化落地。推理阶段对存储的实时读写、低延迟要求更高，且部署规模远超训练集群，将进一步推升企业级SSD、DDR5 RDIMM的消耗量。
2. 端侧AI爆发：AI手机、AI PC与智能穿戴
AI应用正从数据中心向边缘端延伸。佰维存储Q1的AI端侧存储收入已达11.75亿元，同比增496%。随着AI手机（LPDDR5X）、AI PC（DDR5/PCIe 5.0 SSD）、智能眼镜（ePOP/UFS）放量，端侧存储将成为继HBM之后的第二增长曲线。
3. HBM4/5技术迭代：带宽军备竞赛
HBM4标准预计2026年下半年正式发布，目标带宽突破1.5TB/s，并引入更精细的电源管理。SK海力士、美光、三星的HBM4将在2026年陆续投产，16层/36GB堆叠产品成为主流。技术迭代将持续推高单颗存储价值量。
4. 国产替代：从”能用”到”抢份额”
中国在企业级、服务器级内存领域对海外的依赖度仍高达90%以上。长鑫存储DDR5扩产、长江存储3D NAND良率突破90%，叠加国家大基金三期扶持，国产自给率正向30%迈进。兆易创新、江波龙、佰维存储等企业的自研主控与模组能力，正在将国产替代从”备胎逻辑”转为”份额逻辑”。
5. 数据中心更新周期与企业级存储
2026年企业集中开启服务器大规模更新周期，与超大规模云服务商异常高水平的资本支出相吻合。Omdia将2026年半导体市场增长预测上调至62.7%，其中计算和数据存储板块将领跑所有细分领域，同比增长90%，市场规模突破7000亿美元。
夜雨聆风
