第十九届电子年会|面向AI时代的先进存储技术专题论坛成功举办第十九届中国电子信息年会于2026年4月17-19日在中国光谷科技会展中心召开。2026年4月17日，面向AI时代的先进存储技术专题论坛成功举办，本次论坛由长江存储科技有限责任公司、华中科技大学联合主办。中国工程院院士尤政、中国工程院院士吴汉明、华中科技大学缪向水教授、长江存储首席科学家霍宗亮博士担任论坛主席；华中科技大学李祎教授、长江存储创新研究院夏志良博士担任执行主席。吴汉明院士及来自北京大学、清华大学、中国科学院微电子研究所、复旦大学、宁波东方理工大学、北京航空航天大学、浙江大学等知名高校院所的专家学者，和来自微纳核芯、联芸科技、知存科技、阿里达摩院、长江存储的企业专家们共同出席会议。论坛由华中科技大学集成电路学院院长缪向水教授主持。论坛现场缪向水 华中科技大学集成电路学院教授、院长论坛开场，吴汉明院士致辞。吴院士指出，AI大模型催生海量数据存储需求，带动存储产业进入新周期，先进存储与集成电路产业迎来重大机遇，希望学界和业界的专家学者一道紧抓发展契机、凝聚创新共识、深化产业合作，助力破解存储技术瓶颈，推动我国集成电路产业高质量发展。吴汉明 中国工程院院士、浙江大学信息学部主任随后，论坛进入主题报告环节。北京大学博雅特聘教授、集成电路学院院长蔡一茂作题为《面向大模型的3D NAND混合异构近存/存算一体架构与芯片》的主题报告。蔡教授指出，大模型参数与KV缓存的指数级增长正加剧端侧“存储墙”挑战，传统存储方案在容量、带宽及功耗方面已难以为继。报告重点讨论了3D NAND的近存/存算一体架构设计与挑战，并提出“HBF+RRAM+DRAM”超异构存算一体架构，充分发挥各介质在容量、延迟及管理动态数据上的互补优势，为突破端侧存储瓶颈、推动大模型高效部署提供了极具价值的产业化技术路径。蔡一茂 北京大学博雅特聘教授、集成电路学院院长清华大学教授、集成电路学院院长尹首一作题为《大模型时代的存算一体芯片》的主题报告。尹教授深刻阐述了发展存算一体技术对于突破AI时代“存储墙”瓶颈与先进工艺依赖的重要意义。他重点介绍了团队开发的国际首款支持高精度浮点与整数计算的存算一体AI芯片，并展示了涵盖混合精度计算、多维稀疏处理、大容量存储可靠性及专家并行调度的全栈芯片架构方案。该研究成果不仅有望打破传统存算分离的性能局限，更为打造面向大模型的高效算力基座提供了可行技术路径。尹首一 清华大学教授、集成电路学院院长中国科学院微电子研究所研究员、副所长李泠作题为《IGZO基3D DRAM集成、工艺和材料研究》的主题报告。他指出，传统硅基DRAM的尺寸微缩受限于漏电瓶颈，而以IGZO为代表的氧化物半导体展现出巨大的应用潜力。报告介绍了基于CAA结构的IGZO DRAM在微缩能力和三维集成等方面的核心突破，重点展示了2T0C DRAM与3D DRAM阵列制备方面的进展，以及在制备工艺、表征方法与器件可靠性等方面的创造性成果。上述突破为我国攻克高密度自主存储技术难题、抢占下一代存储技术高地提供了关键技术储备。李泠 中国科学院微电子研究所研究员、副所长复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室杨建国研究员作题为《AI时代阻变存储技术发展现状与趋势》的主题报告。他指出，以阻变存储器为代表的新型存储器已经成为先进节点嵌入式非易失性存储器的主要解决方案，并在大模型时代展现出实现高能效计算的巨大潜力。他系统梳理了阻变存储器技术在CMOS嵌入式集成、先进存储与计算等领域的研究进展和应用范例。面对AI时代对存储密度与带宽的迫切需求，阻变存储器凭借其天然的存算一体、超高密度特性，成为打破冯·诺依曼架构瓶颈、跨越“存储墙”的关键技术路径。杨建国 复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室研究员微纳核芯首席科学家叶乐作题为《三维存算一体3D-CIMTM大模型推理芯片》的主题报告。他指出，AI Agent快速发展背景下，大模型推理芯片面临高性能、低功耗、低成本的迫切需求，传统架构与先进制程受限带来算力发展的瓶颈。他创新性提出3D-CIM及RV-CIM异构融合架构，构建了从底层芯片到软件生态的完整落地体系，并有望探索出一条后摩尔时代算力芯片的Scaling Law方案。这为我国突破大模型算力芯片技术壁垒、打造自主可控的下一代AI算力生态提供了全新技术路径。叶乐 微纳核芯首席科学家联芸科技总经理李国阳作题为《AI浪潮下存储主控芯片挑战与机遇》的主题报告。他指出，伴随AI技术持续快速迭代、存算融合纵深发展，大模型落地正在为存储主控芯片领域带来全新发展机遇，也催生了严苛的性能、功耗与可靠性考验。他点明传统主控设计架构已无法适配AI推理场景的复杂需求，围绕主控芯片及固件架构、动态能效管理、纠错能力升级三大方向进行系统性创新设计，并分享了公司前沿的技术突破与创新解法，为国内存储主控产业抓住AI时代发展窗口、筑牢本土产业链根基注入全新动能。李国阳 联芸科技总经理宁波东方理工大学教授、电子科学与技术学院院长柳清伙作题为《高算力芯片的多物理场仿真与优化》的主题报告。柳教授聚焦于高算力芯片多物理场仿真所面临的高密度、大尺度、多尺度及多场耦合四大挑战，引领团队创新构建了混合有限元/谱元等一系列先进算法，融合谱方法、混合方法和模型降阶技术，成功攻克了精细结构、大尺寸和多物理场耦合的计算瓶颈，并针对三维集成、高速互联及热应力管理等前沿难题开展了深入研究，推动高算力芯片设计从后端验证走向前端驱动，为芯片的预测性设计奠定了核心技术基石。柳清伙 宁波东方理工大学教授、电子科学与技术学院院长北京航空航天大学教授、集成电路科学与工程学院常务副院长张悦作题为《面向人工智能的自旋芯片技术》的主题报告。张教授全面揭示了自旋电子技术在重塑AI算力底层逻辑中的关键价值，介绍了团队在三端SOT-MRAM工艺上取得的关键突破：通过自旋轨道转矩诱导读写路径解耦，消除了存储寿命和速度之间的物理矛盾，同时借助反铁磁材料的偏置效应，实现亚纳秒级别超快速翻转。该成果不仅打破传统MRAM的性能边界，更为构建高集成度、高能效的感-存-算一体的AI硬件树立了重要技术标杆。张悦 北京航空航天大学教授、集成电路科学与工程学院常务副院长浙江大学求是特聘教授、集成电路学院副院长卓成作题为《面向边缘智能的铁电存算一体优化决策芯片》的主题报告。卓教授团队以铁电先进存储为核心，提出一种面向边缘智能的存算一体优化决策芯片方案，通过构建通用的“QUBO+模拟退火”求解框架，有效突破了传统架构中串行逻辑与数据访存的性能瓶颈，大幅提升了求解器运算性能并降低求解所需的硬件规模。该成果实现了基于物理计算范式的存算一体优化决策，为边缘侧实时优化与快速决策提供可扩展的硬件底座。卓成 浙江大学求是特聘教授、集成电路学院副院长华中科技大学教授、集成电路学院副院长李祎作题为《基于忆阻器的高能效跨精度存算一体技术》的主题报告。李教授团队成功实现高一致性、低功耗自整流忆阻器的1Kb阵集成，提出了一种基于器件非线性的模拟存算一体机制，实现了稀疏矩阵压缩与高并行计算，并发布了国际首款浮点/定点任意精度三维忆阻存算系统ArPCIM。配合自主研发的混合精度求解系统与端到端协同设计工具，克服了忆阻存算一体技术的关键性能瓶颈，在科学计算及大模型优化领域展现出广阔的应用前景。李祎 华中科技大学教授、集成电路学院副院长知存科技创始人、CEO王绍迪作题为《面向大语言模型的存内计算技术》的主题报告。他指出，针对AI大模型运算中日益凸显的“内存墙”问题，很多潜在的在研技术可以有效解决，比如模拟存内计算技术可通过存储器阵列完成矩阵运算，有望将算力和等效带宽提升两个数量级，成为解决大语言模型核心计算环节——大规模矩阵乘法的高效方案。此外，其他基于不同存储介质的多样化存内计算技术，也有可能缓解内存墙问题，例如DRAM-PIM在扩展兼容性上的优势，以及HBF技术在特定场景下具备媲美HBM带宽的潜力。王绍迪 知存科技创始人、CEO阿里达摩院资深科学家、产品与运营负责人高平作题为《芯片的“Memory时刻”》的主题报告。他指出，Agentic AI时代KV Cache的指数级增长正驱动存储市场进入超级周期，AI芯片演进逻辑已从单纯“堆算力”转向“配存力”。为实现先进AI存储技术的芯片-系统级协同优化，他明确指出：在芯片架构上，需要从高成本的HBM，逐步向HBF、3D-DRAM等多元存储体系转型；在系统级优化上，通过定制计算引擎进行异构匹配，是降低Token成本并最大化计算效能的关键路径。高平 阿里达摩院资深科学家、产品与运营负责人长江存储创新研究院副总经理夏志良作题为《三维闪存技术与产业发展趋势》的主题报告。他指出，面对全球存储芯片领域的激烈竞争，长江存储自主创新晶栈®Xtacking®架构并成功实现产业化落地，这一重大突破不仅填补了国内存储领域自主知识产权的空白，更使中国存储产业在全球存储版图中实现了快速突围。展望未来，“晶栈”架构及相关核心技术将成为推动三维闪存向超高密度演进的关键引擎，引领全球半导体工艺从顺序集成向并行化、模块化制造变革。夏志良 长江存储创新研究院副总经理本次“面向AI时代的先进存储技术”专题论坛的成功举办，为存储领域学界和业界专家们搭建了产学研协同创新的交流平台。论坛围绕3D NAND、3D DRAM、阻变存储、铁电存储、自旋存储、存储控制器、存算一体技术等多个技术方向，全方位呈现了从基础技术到系统集成的前沿进展。未来，与会各方将持续推动面向人工智能时代的先进存储技术突破与产业高质量发展。
夜雨聆风
