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AI算力引爆3.2T光模块革命,薄膜铌酸锂如何成为“光学硅”?

AI算力引爆3.2T光模块革命,薄膜铌酸锂如何成为“光学硅”?

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今天咱们来聊一个听起来有点“硬核”,实际上很有趣的话题——光模块。

随着AI芯片持续迭代升级,数据中心的光模块已实现从400G、800G到1.6T的演进。

在这一技术浪潮中,3.2T光模块正迎来加速导入。

而支撑这一代际跃升的核心材料——薄膜铌酸锂,“铌酸锂”这名字听起来像某种化学试剂,但其实它是一种非常厉害的光学材料,早在1965年就被人工合成出来了。它集电光、压电、铁电、非线性光学等多种优异性能于一身,被业界誉为光子时代的“光学硅”。

传统的铌酸锂晶体有个问题:太“厚”了。于是,科学家们想了个妙招:把它做成“薄膜”。通过离子切片、键合等黑科技,把铌酸锂做成只有几百纳米厚的薄膜,贴在硅片等衬底上。这一下子就打开了新世界的大门:拥有高带宽、低驱动电压、高线性及强光场约束等优势。

光库科技的技术专家曾总结,薄膜铌酸锂具备超高带宽、低驱动电压、低光学损耗和高线性度四大核心优势,正好击中了超高速光互连的所有“痛点”。

所以,把它叫做“光学硅”,真是实至名归——它正在像硅变革电子产业一样,变革着光通信产业。

LightCounting预计,2028年3.2T光模块市场规模有望达到13.96亿美元,到2031年有望提升至240亿美元。三年时间,市场规模要翻17倍!

更惊人的是华泰证券的测算:2031年仅3.2T光模块带动的薄膜铌酸锂调制器市场空间就有望接近30亿元,对应2029~2031年的复合年均增长率高达271%!

让人兴奋的是,中国在这个领域已经走在了世界前列。

今年3月,中国信科集团国家信息光电子创新中心发布了全球首款170GHz铌酸锂薄膜光电调制器。

这款只有火柴盒大小的器件,被称为光通信系统的“信号转换心脏”,实现了超高速光电转换技术的全新突破。

国资委网站报道,这一突破的背后,是我国光调制器技术从跟跑到领跑的跨越式发展:5年前,我国高端调制器带宽还局限在40GHz以内;3年前实现110GHz国产化突破;不久前推出145GHz产品;如今站上170GHz新台阶。

不仅如此,今年1月,新华网报道武汉研制出800nm超宽带薄膜铌酸锂高速电光调制器,在《Nature Communications》期刊发表了研究成果。

上海科技大学的研究团队也在《自然》杂志发表了相关论文,实现了单路超500 Gbps的光纤传输。

薄膜铌酸锂的产业链可划分为铌酸锂晶体材料-薄膜铌酸锂晶圆-薄膜铌酸锂调制器(芯片),各环节均具备较高技术壁垒,我国厂商在以上各领域均已取得积极进展。

上游:材料与晶圆(壁垒最高)

天通股份:公司已经掌握了大尺寸铌酸锂晶片制备的关键核心技术,成功自主研发并量产。公司自主开发的8英寸掺铁钽酸锂晶体成功产出,是公司继6英寸钽酸锂晶体稳定量产后的又一大新突破,有效填补了大尺寸压电材料领域应用的空白。

福晶科技:全球非线性光学晶体龙头,中科院背景,公司少量提供铌酸锂晶体,主要用于激光器件的制造。

中游:调制器与芯片(价值量集中)

光库科技:这家公司可是铌酸锂调制器的“老司机”,有40年研发生产历史。公司在投资者问答中明确表示,已经掌握了开发高达800Gbps及以上速率的薄膜铌酸锂调制器芯片和器件的关键能力。

德科立:公司在400G、800G及1.6T光模块上同步推出薄膜铌酸锂方案(TFLN)产品,并为其1.6T模块同步布局了包括TFLN在内的三种技术方案。

下游:光模块与应用(需求爆发)

中际旭创:全球光模块龙头,加速推进1.6T光模块研发,采用硅光与薄膜铌酸锂双技术路径,推动产品迭代升级,深度服务英伟达、微软等核心客户。公司的1.6T产品已经在量产出货,且预计会保持每个季度出货量环比提升;3.2T产能正在准备中。

新易盛:已推出基于硅光与薄膜铌酸锂方案的400G、800G及1.6T系列高速光模块产品。基于TFLN的800G光模块功耗仅11.2W,处于行业领先地位,400G光模块在亚马逊AWS大规模出货;同时也是Meta、甲骨文等公司的长期供应商或核心合作伙伴。

联特科技:已推出基于薄膜铌酸锂调制技术的800G光模块,并积极布局CPO/NPO等下一代封装技术,持续拓展在数据中心高速互连中的应用。

值得一提的是,薄膜铌酸锂不仅应用于可插拔光模块,还将在LPO(线性驱动可插拔光学)和CPO(共封装光学)中发挥关键作用。

在LPO上,薄膜铌酸锂的低半波电压特性,相比硅光功耗更低;高线性度特性,可大幅补偿因去掉DSP带来的信号质量损失。

在CPO上,基于薄膜铌酸锂的光调制器,可以提供超高单通道速率、超低驱动功耗、超高线性度以及材料稳定性与可集成性,有望成为未来CPO规模部署的重要选择。

随着AI通信网络加速向单波400G及更高传输速率迈进,传统材料的性能局限性逐渐显现,薄膜铌酸锂正以“光学硅”之姿,重塑高速光模块的未来格局,支撑起AI算力时代的光通信基础设施。

特别提示:本文基于行业动态数据及上市公司公开信息整理,仅用于产业现象分析与交流研讨,绝不构成任何投资建议、引导或承诺。文中提及的所有公司、产品、技术均为客观产业分析,不构成对任何个股或行业的投资推荐。

本文内容均来源于公开资料,对其准确性、完整性和时效性不做任何保证,亦不能作为投资决策的依据。市场有风险,投资需谨慎,投资者应基于自身研究与判断做出独立投资决策。

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