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ARTICLE · 1302067

NANOS台式扫描电镜应用分享 | B位取代调控Cs₂NaInCl₆的发光

NANOS台式扫描电镜应用分享 | B位取代调控Cs₂NaInCl₆的发光

一、摘要

本文报道了名义成分为Cs2Ag0.2Na0.4In0.6M0.4Cl6(M=Si、Ti、Zr)双卤化物钙钛矿(DHP)的合成与表征,包括在一定温度范围内测得的光致发光(PL)、光致发光激发(PLE)光谱以及发光动力学。材料采用水热法合成。通过X射线衍射(XRD)、Rietveld精修、配备能量色散X射线谱(EDS)的扫描电子显微镜(SEM)以及元素分析,确认了所合成钙钛矿的物相纯度与元素组成,结果表明样品与目标化学计量比吻合良好。PL谱表现出随取代元素由Si到Zr而系统性地向低能区移动的趋势,这与取代阳离子离子半径的逐渐增大相对应。所有样品均呈现宽而不对称的发射带,为自陷激子(STE)态的典型特征。变温PL测量表明,所有样品的发射强度均随温度升高而逐渐降低。发射强度最大值出现在约160–200 K区间,对应辐射复合的最佳条件;强度最低值记录于约80–100 K,此时辐射中心的热激活程度最低。温度升高时,各成分的PL带均发生红移。在Ti掺杂的DHP中,低温下观察到明显的蓝移,可归因于Ti3+相关电子态的参与。对热致发光猝灭活化能的分析以及时间分辨光谱结果表明,含钛样品中热过程被激活且衰减迅速;而以硅取代钛则使所研究晶体的发光更加稳定。综上,掺杂Ti、Si、Zr的双卤化物钙钛矿所展现出的优异发光性能,凸显了其在先进光子与光电子器件中的应用潜力。文章发表在《Crystals》上,题目为“Tunable Luminescence by B-Site Substitution in Cs2NaInCl6”。

二、实验方法

名义成分为 Cs2Ag0.2Na0.4In0.6M0.4Cl6(M=Si、Ti、Zr)的双钙钛矿样品采用水热法合成,使用聚四氟乙烯内衬反应器。在该合成路线中,按上述成分别称量 CsCl、AgCl、NaCl、InCl3、SiO2、TiO2、ZrO2(Merck,德国达姆施塔特),转入反应器并悬浮于10 mL浓盐酸溶液中。搅拌30 min后,将反应器置于马弗炉中快速加热至180 ℃,保温12 h,随后以3.4 ℃/h的速率缓慢降温至室温。收集所得单晶形态产物,用异丙醇洗涤数次,并在环境条件下干燥。

全文中,掺杂样品的化学式均按其名义成分给出。样品的实际组成由SEM-EDS和ICP-OES检验,结果见第3节。

样品的质量与纯度采用D2 PHASER衍射仪(Bruker,美国马萨诸塞州比勒利卡)检验,使用Cu Kα辐射(λ=1.54 Å),工作电压30 kV、电流10 mA。XRD谱图以0.02°的扫描步长、每步0.4 s的计数时间采集。所得结果使用DIFFRAC.EVA V6.1软件(Bruker,德国卡尔斯鲁厄)和PDF-5数据库2024版(ICDD,美国宾夕法尼亚州纽敦广场)分析。Rietveld精修采用TOPAS Academic软件(V.7.0 (2022),Bruker)完成。

双卤化物钙钛矿粉末样品进一步通过SEM和EDS进行研究。样品的显微图像由台式扫描电子显微镜(NANOS,Semplor,荷兰埃因霍温)在哈萨克斯坦突厥斯坦霍贾·艾哈迈德·亚萨维哈萨克-土耳其国际大学获得。仪器在高真空模式下运行,加速电压为5–20 kV,视样品电导率而定;采用二次电子(SE)和背散射电子(BSE)探测器采集图像。

合成样品的微观结构采用Axia ChemiSEM扫描电子显微镜(Thermo Fisher Scientific,荷兰埃因霍温)研究,测量加速电压为20 kV。为减小荷电效应,将粉末样品沉积在导电碳带上;元素组成与分布由集成式EDS分析。

样品的元素分析在岛津ICPE-9800仪器(Shimadzu Corporation,日本京都)上完成,测试地点为哈萨克斯坦阿克托比Eco Project公司实验室。测试条件:温度+23.20 ℃,湿度74%,压力748 mmHg。

每个样品都含有氯,但电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)并非测定样品中氯的标准方法。激发卤素的发射谱线需要极高能量,因为其谱线位于真空紫外(VUV)区,会被空气吸收;因此,大多数标准ICP-AES系统无法检测到氯。

粉末样品的室温(RT)PLE谱采用FluoroMax-4P荧光分光光度计(Horiba Jobin Yvon,法国帕莱索)测量,配备150 W氙灯作为激发源、R928光电倍增管作为探测器,可在250–850 nm光谱范围内采集PL和PLE谱。PL测量时,激发波长在250–300 nm之间变化。

变温PL谱测量时,将样品置于THMS600温度台(Linkam Scientific,英国萨尔福德斯)中,该温度台配备LNP95液氮冷却泵,可在77–570 K范围内测量。变温PL谱由Shamrock SR-750-D1光谱仪配iDUS DU420A-OE CCD探测器(Andor Technology,英国贝尔法斯特)记录,工作波长范围为300–1000 nm。激发源为280 nm紫外LED,配合292±27 nm带通滤光片;PL谱使用OL 220校准灯校正仪器的光谱响应。

发光动力学测量中,PL谱由配备PIN 420和iDus 420 CCD探测器(Andor Technology)的Shamrock SR750 D1光栅光谱仪获得,光谱仪光谱范围为220–1000 nm。激发源为连续波IK5352R-D He-Cd激光器(Kimmon Koha,日本东京),工作波长442 nm。时间分辨光谱设备的激发部分由PG 401/SH光学参量振荡器构成,由PL2251 YAG:Nd激光器脉冲泵浦(Ekspla,立陶宛维尔纽斯);光学参量发生器将激光器产生的355 nm脉冲转换为210–2300 nm范围内的选定波长,脉冲宽度为30 ps。时间分辨PL谱和PL衰减曲线由2501S光栅光谱仪(Bruker Optics,德国埃特林根)配合C4334-01条纹相机(Hamamatsu Photonics,日本滨松)获得。样品的发光分辨率(由采集装置实现光谱与时间分辨)记录为640×480像素CCD阵列的图像条带,可测量的时间尺度范围为10 ms至1 ns。

三、结果与讨论

图1、双钙钛矿结构[3]。

图2、所合成样品的XRD谱图。

为定量表征晶体结构,本研究进行了定量分析和Rietveld精修(图3–5),定量结果汇总于表1。

图3、名义成分Cs2Ag0.2Na0.4In0.6Si0.4Cl6样品的Rietveld精修。

图4、名义成分为Cs2Ag0.2Na0.4In0.6Ti0.4Cl6样品的Rietveld精修。

图5、名义成分为Cs2Ag0.2Na0.4In0.6Zr0.4Cl6样品的Rietveld精修。

表1名义成分为Cs2Ag0.2Na0.4In0.6M0.4Cl6样品Rietveld精修的定量参数。

图6、给出了SEM图像和EDS元素分析结果。

图6、名义成分Cs2Ag0.2Na0.4In0.6M0.4Cl6样品的SEM图像与EDS结果。(a)Cs2Ag0.2Na0.4In0.6Si0.4Cl6;(b)Cs2Ag0.2Na0.4In0.6Ti0.4Cl6;(c)Cs2Ag0.2Na0.4In0.6Zr0.4Cl6。

EDS法定量元素分析结果见表2。

表2名义成分为Cs2Ag0.2Na0.4In0.6M0.4Cl6样品的元素百分比(EDS,at.%)。

为克服EDS的仪器局限并准确测定本体化学计量比,进行了ICP-OES定量元素分析(表3)。

表3名义成分为Cs2Ag0.2Na0.4In0.6M0.4Cl6样品的元素分析(ICP-OES)。

图7、不同离子掺杂DHP在不同激发波长下的PL谱。

表4 DHP的PL对比数据。

为解释和理解DHP中的弛豫过程,本研究在选定发射波长下记录了PLE谱(图8)。

图8、在选定发射波长下记录的DHP的PLE谱。

图9、掺杂Si的DHP的PL谱(变温)。

图10、掺杂Ti的DHP的PL谱(变温)。

图11、掺杂Zr的DHP的PL谱(变温)。

图12、(a)各样品的总PL强度;(b)归一化PL强度及尾部对式(1)的拟合。

表5总PL强度的非辐射猝灭参数。

为进一步表征DHP的发光性质,在325 nm激发下采集了样品的衰减曲线,见图13。衰减曲线为多组分性质,包含一个纳秒(ns)组分,随后是强烈的微秒(µs)余辉。

图13、各样品的发光动力学:(a)ns范围;(b)µs范围。

图14、(a–c)各样品在ns范围内的变温衰减曲线及单指数拟合;(d)由(a–c)数据得到的衰减时间随温度的变化。

四、结论

本文报道了掺杂Si、Ti、Zr离子的双卤化物钙钛矿(DHP)晶体的合成及其发光特性研究结果。采用XRD、Rietveld分析、SEM-EDS、ICP-OES对合成的双钙钛矿样品进行了全面表征。结果证实目标相已形成,实验元素组成与目标化学计量比高度吻合。光致发光谱表明,由Si过渡到Zr时发射带逐渐向低能方向移动,与离子半径增大的趋势相对应;该趋势与晶格畸变增强及更深定域态的形成相一致,导致发射能量降低。值得注意的是,在不改变主晶体基质结构的前提下,通过阳离子取代即可调控发光颜色,这表明了一种调控材料光学响应的有效途径。

80–480 K范围内的变温光致发光测量表明,所有样品的发射强度均随温度升高而下降。Si和Zr掺杂样品在约160 K处强度最大,Ti掺杂晶体在约200 K处强度最大。低温(80–100 K)下PL强度低于中间温度区间,表明存在温度相关的定域效应。随温度升高,发射带向长波方向移动,该效应在Cs2Ag0.2Na0.4In0.6Ti0.4Cl6中尤为显著。对所研究晶体热致发光猝灭活化能的分析表明,后一样品活化能最低,说明轻微加热即导致发光迅速猝灭;含硅样品表现出最高的热稳定性。

时间分辨发光测量揭示了多组分衰减特征,包括快速纳秒衰减和明显的微秒余辉,表明快复合通道与延迟复合通道共存。Ti掺杂样品因非辐射损耗占主导而衰减最快,Si体系则以最高热稳定性和最长寿命为特征。衰减时间交叉相关等温度依赖关系证实,发光动力学由相互竞争的热激活过程而非单一猝灭机制决定。

总体而言,光致发光特性及其温度依赖关系凸显了这些材料在可调发射颜色器件中的潜力,包括发光二极管(LED)和用于产生白光的荧光粉——在这些应用中,可调发射和热稳定性至关重要。

分析型台式扫描电子显微镜

产品介绍

NANOS作为市面上真正意义分析型台式扫描电镜,其具备优异的电镜成像及EDS元素分析能力,配备独特设计钨灯丝,使用寿命超过1000小时,同时具备优中心样品台及低真空功能,满足各种应用需求。同时支持升级颗粒度分析、纤维分析及样品表面三维形貌分析软件,实现样品深度统计分析。

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