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EDS元素峰强度变高、变低,说明什么?

EDS元素峰强度变高、变低,说明什么?

说明:本文主要介绍EDS元素谱峰的计数含义、峰强变化与含量变化的关系,以及加速电压、样品几何和谱峰重叠怎样影响读数。

EDS谱峰的高低究竟在数什么?

能量色散X射线谱(EDS)通常在扫描电镜中采集。电子束使样品原子产生特征X射线,探测器按光子能量把它们分入不同通道。谱图横轴是能量纵轴通常是计数峰位帮助识别元素,峰的计数来自特定能量范围内被探测到的光子。

同一元素还有K、L等不同谱线,比较强弱时要先认准同一条谱线。横坐标落在某个元素的特征能量附近,只说明这个能量窗口有信号;连续背景或别的元素谱线有时也落入窗口。

图1. 同一金样品在20 keV和10 keV电子束下的EDS谱;低电压谱中的Au M线被自动标成Zr、Nb谱线。DOI:10.1007/s10853-014-8685-2

屏幕上看见的“峰高”是峰顶某个通道的计数,峰宽或能量分辨率改变时,峰顶可以下降而总计数变化很小。定量分析通常关注扣除连续X射线背景后的净峰积分计数,而不是截图上的峰顶高度。

积分时既要确定峰所占的能量范围,也要估计峰底下的背景;这两项处理不同,得到的“峰面积”也会改变。即使是净计数,采集时间、束流和探测器接收效率也会决定它的绝对大小。

同一块金在20 keV下出现Au L和Au M谱线;电子束电压降至10 keV,Au L线难以激发,谱图主要显示Au M线,自动标峰甚至把它认成Zr和Nb。

金的组成没有改变,可见谱线及其峰高却随着激发条件改变。比较谱图前若连谱线归属都没有核准,峰高便谈不上对应某种元素的含量。

峰变高或变低,什么时候能说明元素含量变了?

若要比较两个区域中的某一元素,应让两处在相同加速电压、束流、探测器位置、样品表面状态和采集活时间下测量,并比较同一条谱线的背景扣除后计数。固定这些条件后,净峰强增加通常表示该元素从所测体积贡献的X射线增多;净峰强减小则表示贡献减少。

“X射线贡献”仍不直接等于质量分数。两种元素的电离概率、荧光产额和X射线在样品中的吸收各不相同。

磷灰石研究在相同15 kV条件下把Ca与P的计数作相关图:合成、矿物、骨和化石磷灰石的斜率与离散程度不同,单个Ca峰的绝对高度无法替代Ca/P关系。

若两处束斑落在不同相上,改变的不只是Ca的计数,P和其他元素的信号也会随局部化学组成共同变化。

图2. 四类磷灰石在15 kV下的Ca与P计数相关图;各组斜率和离散程度不同。DOI:10.1186/s40543-019-0186-0

更严格的含量比较把未知样品与已知组成标样的同元素净峰强相除,得到k比值,再校正电子散射、X射线吸收和二次荧光等基体效应。若两个测点成分差异很小,还要用重复测量判断差值是否超过计数波动与拟合误差。

经过这些步骤,“峰变高”才有依据写成“该区域的元素分数升高”。报告中的wt%或at%还受参与归一化的元素集合影响:某元素的分数升高,还受另一元素分数下降的影响。

样品组成没变,哪些条件仍会改变峰强

加速电压改变激发与取样体积

电子束电压升高时,电子能在样品里走得更深;加速电压也决定哪些壳层能被激发。同一羟基磷灰石在15 kV与5 kV下测得的O/P计数关系不同;低电压下总计数减少,O与P的相关性却更集中。

对于接近激发阈值的谱线,电压稍有变化就可能明显改变X射线产额;同一元素的K线与L线也不能混作一条曲线比较。峰变矮与数据更可靠可以同时发生,因为激发效率、取样深度和统计离散程度是不同问题。

图3. 合成与矿物磷灰石在15 kV和5 kV下的O与P计数相关图。DOI:10.1186/s40543-019-0186-0

束流增大或采集活时间延长,通常会让特征峰与连续背景一起积累更多计数;谱图若按总计数归一化,纵轴又变成相对强度。比较前需看原始计数、计数率还是归一化曲线,并核对活时间与死时间。把不同纵轴口径的截图叠在一起,峰顶差别没有统一的物理分母。

表面起伏改变光子的逸出路径

同一块材料的凸起、划痕或倾斜面,会改变X射线在材料里走到表面的距离。低能X射线更容易被吸收,因此表面几何对Mg K线的影响可能大于Fe K线。NIST在成分均匀的K411玻璃上观察到:抛光面数据集中,带划痕表面的Mg与Fe测得质量分数却更分散。

图4. 均匀K411玻璃抛光面与带划痕表面,20个位置的Mg、Fe测得质量分数分布。DOI:10.1007/s10853-014-8685-2

因此,颗粒边缘的低峰或粗糙区域的高峰,可能混合了成分差异与取样几何。若样品很薄,电子束还可能穿透颗粒,激发样品台或基底;额外的峰来自下方材料,而不是颗粒中突然多出一种元素。

谱峰叠在一起时强度增减还能怎样判断

高计数率会制造额外谱峰

探测器短时间内收到太多光子时,两次脉冲可能被当成一次较高能量的事件,形成合峰。NIST对同一种K412玻璃提高束流后,随探测器死时间上升,一些合峰逐渐增强;Al+Al的合峰可落在Ag L线附近,Si+Ca的合峰可落在Cr K线附近。材料未增加Ag或Cr,谱图却可能出现看似属于它们的信号。

图5. 同一K412玻璃在不同探测器死时间下的EDS谱,合峰随计数率升高而增强;各谱已按全谱积分归一化。DOI:10.1007/s10853-014-8685-2

该图中的曲线都按全谱积分缩放,说明合峰相对占比怎样变化;不能用来反推每条曲线的原始总计数。遇到新出现或突增的小峰,应先看束流、死时间和相关母峰,再看它是否与该元素的其他谱线共同出现。

重叠谱线需要分峰与背景处理

还有一类强度变化来自真正的谱线重叠。MoS₂中S Kα约2.307 keV、Mo Lα约2.293 keV,二者只差约14 eV,普通EDS谱不能把两个峰顶直接分开。若Mo信号变化,重叠窗口的高度也会改变;把整块面积都算给S,就会虚构S含量变化。

图6. MoS₂在10 keV电子束下的EDS原谱与拟合残差;S K线和Mo L线在约2.3 keV附近重叠。DOI:10.1007/s10853-014-8685-2

分峰后应检查拟合残差、同元素的其他谱线和重复测点。弱峰还受计数统计支配:若背景可忽略,独立光子计数近似服从泊松分布,峰计数N的随机波动量级约为√N;背景扣除又会增加不确定度。两处峰强若只差几个计数,且落在这一波动范围内,谱图尚不能分辨含量升降。

对于同一元素,可比条件下净峰强稳定升高才支持其在电子束取样体积内的相对贡献增加;若报告质量分数或原子分数,还需标样或经过检验的定量校正。峰强所说的是元素X射线产额,不直接给出氧化态、化学键或单个原子层的组成。

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