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高三化学二轮复习选择题强化训练：选择题专项训练（九）
晶体、晶胞与物质性质
一、单选题
基础篇
1.氮化镓是新型半导体材料，其晶胞如图所示，A原子坐标(0, 1
2 , 1
2)，晶胞参数为cnm，阿伏加德罗常数
的值为N A。下列说法正确的是( )
A. 晶体最简化学式为G a2 N 7
B. B原子坐标为(
3
4 , 3
4 , 3
4)
C. N形成的正四面体空隙中Ga的填充率为100 %
D. 该氮化镓晶体的密度为3.36×10
23
N A×c
3
g•c m
−3
2.某立方晶系的锑钾(Sb−K )合金可作为钾离子电池的电极材料，图a为该合金的晶胞结构图，图b表示
晶胞的一部分。下列说法正确的是( )
A. 该晶胞的体积为a
3×10
−36c m
3
B. K和Sb原子数之比为3：1
C. 与Sb最邻近的K原子数为4
D. K和Sb之间的最短距离为1
2 apm
3.萤石是制作光学玻璃的原料之一，其主要成分氟化钙的晶胞结构如图所示。下列说法正确的是( )
A. 氟化钙的化学式为CaF
B. 每个晶胞中含有14个C a
2+
C. 氟化钙中只含有离子键
D. 每个C a
2+周围距离最近且等距的F
−有4个
4.铁镁合金是目前已发现的储氢密度最高的储氢材料之一，晶胞结构如图所示。储氢
时，H 2分子在晶胞的体心和棱的中心位置，且最近的两个氢分子之间的距离为anm
，N A表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是( )
A. 铁镁合金晶胞中Fe原子数为4
B. Mg与Fe之间的最近距离为
❑√3
4 anm
C. 在铁镁合金晶体中，与铁原子等距离且最近的铁原子数有12个
D. 储氢后的晶体密度为
424
(❑√2a×10
−7)
3 N A
g⋅c m
−3
5.C60属于富勒烯中的一种，其结构与足球结构相似，如下图所示。下列关于C60说法正确的是( )
A. 属于烃类
B. 晶体类型为共价晶体
C. 与金刚石互为同素异形体
D. 易溶于水
6.SmC ok(k >1)是一种具有优异磁性能的稀土永磁材料，在航空航天等领域中获得重要应用。SmC ok的
六方晶胞示意图如下，晶胞参数a=500 pm、c = 400 pm，M、N原子的分数坐标分别为(
5
6 , 1
6 , 1
2)、
(
1
6 , 5
6 , 1
2)。设N A是阿伏加德罗常数的值。
下列说法错误的是
A. 该物质的化学式为SmC o5
B. 体心原子的分数坐标为(
1
2 , 1
2 , 1
2)
C. 晶体的密度为
890 ❑√3
3 N A×10
−22 g⋅c m
−3
D. 原子Q到体心的距离为100 ❑√41 pm
7.N H 4Cl的晶胞为立方体，其结构如图。下列说法不正确的是( )
A. N H 4Cl晶体属于离子晶体
B. N H 4Cl晶胞中H −N −H键角为90
C. N H 4Cl晶体中既有离子键又有共价键
D. 每个C l
−周围与它最近且等距离的N H 4
+的数目为8
提升篇
8.砷化镉晶胞结构如图。图中“①”和“②”位是“真空”，晶胞参数为apm，建立如图的原子坐标系，
①号位的坐标为( 3
4 , 3
4 , 3
4 )。已知：砷化镉的摩尔质量为Mg/mol，N A为阿伏加德罗常数的值。下列说
法错误的是( )
A. 砷化镉中Cd与As原子个数比为3：2
B. 两个Cd原子间最短距离为0.5apm
C. ③号位原子坐标参数为( 1
2 ,1, 1
2 )
D. 该晶胞的密度为
M
N A(a×10
−10)
3 g⋅c m
−3
9.SiC具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。其晶胞结构如图所示，已知m的坐标参数
为( 1
4 , 1
4 , 1
4 )，晶胞参数为apm。下列说法错误的是( )
A. SiC晶体属于共价晶体
B. 晶胞中n的坐标参数为( 1
4 , 3
4 , 3
4 )
C. 每个Si周围最近的Si数目是6
D. C原子与Si原子之间的最短距离为
❑√3
4 apm
10.通过掺杂硅可将锗单质转化为不同掺杂比例的硅锗合金，锗及硅锗合金的立方晶胞结构如图所示。下
列说法错误的是
A. 锗晶体键角为109°28′
B. 若硅锗合金i的密度为ρg⋅c m
−3，则阿伏加德罗常数N A = 73×7+28
10
−30a
3 ρ
mol
−1
C. 原子①的分数坐标为(
3
4 , 3
4 , 1
4)
D. 锗晶体熔点高于硅晶体的熔点
11.一定条件下，K、CuC l2和F2反应生成KCl和化合物X，化合物 X的晶胞结构如图所示(晶胞参数a≠c
，α = β = γ =90°)，其中灰球代表 Cu、黑球代表 K、白球代表F。若阿伏加德罗常数的值为N A。下列说
法错误的是( )
A. 上述反应中 CuC l2与F2的物质的量之比为1：2
B. 基态F原子核外电子有5种空间运动状态
C. Cu原子填充在由 F原子构成的八面体空隙中
D. 化合物X的密度ρ= 2.18×10
32
a
2c N A
g⋅c m
−3
12.一种由硼镁元素组成的离子化合物具有超导性能。该化合物晶体中硼通过共价键形成平面a层，镁形成
平面b层，a层和b层等距交错排列(abab⋯⋯)，俯视图(部分)如图。
下列说法正确的是( )
A. 硼层中硼的杂化类型为sp
3
B. 该化合物的化学式为MgB2
C. 镁周围最近且等距的硼有6个
D. 镁层内存在离子键
13.钛铁基储氢合金是由钛、铁两种元素组成的金属间化合物。该合金吸收氢气后的晶胞如图1所示，每个
氢被4个钛原子和2个铁原子包围。下列说法不正确的是( )
A. 钛铁合金属于金属晶体，主要作用力为金属键
B. 未吸收氢气时，钛铁合金的晶胞示意图为图2
C. 钛铁合金中每个Ti周围距离最近且等距的Fe有8个
D. 图1中形成的金属氢化物的化学式：TiFe H 2
14.我国科研人员利用C60和K掺杂制造了一种富勒烯化合物，是一种定量还原剂，其晶胞结构如图所示，
该立方晶胞参数为apm，设阿伏加德罗常数的值为N A，下列说法正确的是( )
A. 该富勒烯化合物中的K原子和C原子的个数比为3：1
B. 该晶胞中与C60最近且距离相等的K是6个
C. 将C60看作顶点，该晶体中C60构成的多面体有8个面
D. 该晶体的密度为2.58×10
32
a
3 N A
g⋅c m
−3
15.Li2(OH )Cl在固体离子电导方面具有潜在的应用前景。其两种晶型中，一种为长方体形晶胞(图1，长
方体棱长分别为anm、bnm、cnm)，另一种为立方体形晶胞(图2，Cl居于立方体中心，立方体棱长为
dnm)。
已知：图2晶胞中，部分锂离子位置上存在缺位现象。
下列说法错误的是
A. 图2晶胞中，锂离子的总缺位率为1
3
B. 图2晶胞中，氯离子周围紧邻的锂离子的平均数目为12
C. 两种晶型的密度近似相等，则c = 2d
3
ab
D. Li2(OH )Cl为离子晶体，晶体中含有离子键和共价键
16.短周期主族元素X、Y 、Z、W 的原子序数依次增大。X是密度最小的金属；Y 与Z同主族，且基态Y 原
子中p能级和s能级上的电子数相同；X和Z形成的化合物的晶体结构如图所示。设阿伏加德罗常数的值为
N A，晶胞边长为apm。下列说法正确的是
A. 原子半径：r(Y )<r(Z )<r(W )
B. 第一电离能：I 1( X )< I 1(Y )< I 1(Z )
C. 晶胞中Z的配位数为12
D. 晶体的密度为184×10
30
N A a
3
g⋅c m
−3
17.碳化硅是一种半导体材料，一定条件下可由聚硅烷而来，反应过程为：
其中SiC的晶胞结构如图，晶胞参数为apm。
下列说法错误的是
A. 聚硅烷属于混合物
B. 该晶胞中Si的配位数为4
C. 该晶胞中C原子与C原子的最短距离为
❑√3
2 apm
D. 该晶胞的密度为
160
N A×(a×10
−10)
3 g⋅c m
−3
18.某锂离子电池电极材料结构如图。结构1是钴硫化物晶胞的一部分，可代表其组成和结构；晶胞2是充
电后的晶胞结构；所有晶胞均为立方晶胞。下列说法正确的是
A. 结构1钴硫化物的化学式为C o8 S13
B. 晶胞2中S与S的最短距离为
❑√3
2 a
C. 晶胞3中距S最近的Li有4个
D. 晶胞2和晶胞3表示同一晶体
19.NiAs的立方晶胞结构如图所示，其晶体密度为ρg⋅c m
−3。设NiAs晶体最简式的式量为M r，N A为阿
伏加德罗常数的值。下列说法错误的是
A. N i
3+
的价电子排布图为
B. As位于由Ni构成的四面体空隙中
C. 晶体中与N i
3+距离最近且相等的A s
3−有4个
D. 晶胞中最近的N i
3+之间的距离为
3√
4 M r
ρ• N A
×10
7nm
20.叠氮化钠( Na N 3)的晶胞结构如图。下列说法错误的是
A. 与N a
+等距离且最近的N 3
−有4个
B. 每个N 3
−含有10个电子
C. 晶体中存在离子键和共价键
D. 晶体中所有离子的配位数相同
答案和解析
1.【答案】D
【解析】A.根据晶胞结构，晶胞中含有N原子个数为 8× 1
8 +6× 1
2 = 4 ，Ga原子个数为4，所以晶体最简
化学式为GaN，故A 错误；
B.A原子坐标为 (0, 1
2 , 1
2) ，所以B原子坐标为 (
3
4 , 1
4 , 3
4) ，故B 错误；
C.由于N原子可以形成8个正四面体空隙，但只有4个Ga原子位于四面体空隙，故Ga的填充率为50 %，故
C 错误；
D.根据 ρ= m
V = 4×(70+14)
N A×c
3×10
−21 = 3.36×10
23
N A×c
3
g•c m
−3 ，故D 正确；
故选D。
2.【答案】B
【解析】【分析】
本题考查晶胞计算，难度一般。
【解答】
A.该晶胞棱长=a×10
−10cm，晶胞体积=(a×10
−10cm)
3=a
3×10
−30c m
3，故A 错误；
B.该晶胞中K原子个数=12× 1
4 +1+8=12、Sb原子个数=8× 1
8 +6× 1
2 = 4，则K、Sb原子个数之比=12
：4 =3：1，故B 正确；
C.与Sb最邻近的K原子数为8，故C 错误；
D.K与Sb原子之间的最短距离为晶胞体对角线长度的1
4 ，为
❑√3
4 apm，故D 错误；
故选：B。
3.【答案】C
【解析】【分析】
本题考查晶胞计算，为高频考点，把握离子的位置、均摊法计算、化学键为解答的关键，侧重分析与应用
能力的考查，注意选项D 为解答的难点，题目难度不大。
【解答】
A.由题干图可知，C a
2+位于顶点和面心，个数为8× 1
8 +6× 1
2 = 4，F
−位于体内，个数为8，则氟化钙的
化学式为Ca F2，故A 错误；
B.C a
2+位于顶点和面心，个数为8× 1
8 +6× 1
2 = 4，即每个晶胞中含有4个C a
2+，故B 错误；
C.C a
2+与2个F
−形成离子键，则只含离子键，故C 正确；
D.由面心的C a
2+可知距离最近且等距的F
−个数为8个，故D 错误；
故选C。
4.【答案】B
【解析】解：A .由图可知Fe位于顶点和面心，个数为8× 1
8 +6× 1
2 = 4，故A 正确；
B.H 2分子在晶胞的体心和棱的中心位置，且最近的两个氢分子之间的距离为anm，晶胞参数为❑√2anm，
Mg与Fe之间的最近距离为体对角线的1
4 ，则Mg与Fe之间的最近距离为
❑√6
4 anm，故B 错误；
C.以顶点Fe原子看，与铁原子等距离且最近的铁原子位于面心，则与铁原子等距离且最近的铁原子数有
3×8
2
=12个，故C 正确；
D.H 2分子在晶胞的体心和棱的中心位置，个数为1+12× 1
4 = 4，Fe原子个数为4，Mg位于体内，Mg原
子个数为8，化学式为FeM g2 H 2，则ρ= m
V =
424
(❑√2a×10
−7)
3 N A
g⋅c m
−3
，故D 正确；
故选：B。
本题考查晶胞计算，把握原子的位置、均摊法计算、两点之间的距离为解答的关键，侧重分析与计算能力
的考查，题目难度中等。
5.【答案】C
【解析】A.只含碳氢元素的化合物为烃，C60是碳的单质，不属于烃，故A 错误；
B.C60是分子间通过分子间作用力结合而成的晶体，属于分子晶体，故B 错误；
C.同种元素组成的不同单质互为同素异形体，金刚石与C60都是碳的单质，二者互为同素异形体，故C 正
确；
D.C60属于非极性分子，水是极性溶剂，非极性分子易溶于非极性溶剂，所以C60在水中的溶解度较小，故
D 错误；
故选：C。
6.【答案】D
【解析】A.由晶胞图知，白球位于体心，晶胞中数目为1，黑球位于顶角、棱心、体内，晶胞中数目
为 8× 1
8 +8× 1
4 +2=5 ，结合题意知，白球为Sm、黑球为Co，该物质化学式为 SmC o5 ，A 正确；
B.体心原子位于晶胞的中心，其分数坐标为 (
1
2 , 1
2 , 1
2) ，B 正确；
C.每个晶胞中含有1个“ SmC o5 ”，晶胞底面为菱形，晶胞体积为
❑√3
2 a
2c ，则晶体密度
为 ρ=
1
N A
×(150+59×5)g
❑√3
2 a
2cc m
3
=
890 ❑√3
3 N A×10
−22 g⋅c m
−3 ，C 正确；
D.原子Q的分数坐标为 (0, 1
2 ,1) ，由体心原子向上底面作垂线，垂足为上底面面心，连接该面心与原子
Q
、体心与原子
Q
可得直角三角形
，则原子
Q
到体心的距
离 =
❑√250
2+200
2 pm=50 ❑√41 pm ，D 错误；
故选D。
7.【答案】B
【解析】【分析】
本题考查了N H 4Cl晶体结构，需要学生具备一定的空间想象与观察能力，题目难度不大。
【解答】
A.由图可知晶体中存在N H 4
+和C l
−，可知N H 4Cl晶体属于离子晶体，故A 正确；
B.N H 4
+的空间构型为正四面体，H −N −H键角为109°28′，故B 错误；
C.N H 4Cl晶体中N H 4
+和C l
−间存在离子键，N H 4
+内部存在N −H共价键，故C 正确；
D.由图可知，离顶点的C l
−最近的N H 4
+位于晶胞体心，一个顶点归8个晶胞所有，因此每个C l
−周围与它
最近且等距离的N H 4
+的数目为8，故D 正确；
故选：B。
8.【答案】D
【解析】解：
A.分析可知，晶胞中Cd原子数目为6，As原子数目为8× 1
8 +6× 1
2 = 4，Cd与As原子个数比为3：2，故A
正确；
B.两个Cd原子间最短距离为边长的一半，即0.5apm，故B 正确；
C.①号位的坐标为( 3
4 , 3
4 , 3
4 )，则③号位原子坐标参数为( 1
2 ,1, 1
2 )，故C 正确；
D.晶胞体积为(a×10
−10)
3c m
3，晶胞质量中含有2个C d3 A s2，故晶胞密度为
2 M
N A×(a×10
−10)
3 g⋅c m
−3
，故D 错误；
故选：D。
本题考查物质结构与性质，涉及核外电子排布，化学键，晶胞计算等内容，其中晶胞计算为解题难点，需
要结合均摊法进行分析，掌握基础为解题关键，整体难度适中。
9.【答案】C
【解析】A.SiC晶体属于共价晶体，由共价键构成的具有空间立体网状结构，A 正确；
B.m的坐标参数为( 1
4 ，1
4 ，1
4 )，晶胞中n的坐标参数为( 1
4 ，3
4 ， 3
4 )，B 正确；
C.晶胞中Si的位置与金刚石中碳原子位置一样，所以晶胞中位于顶点的Si原子，与之距离最近且相等的Si
原子位于面心，共有12个，C 错误；
D.Si原子与C原子之间最短距离是体对角线的 1
4 ，最短距离为
❑√3
4 apm，D 正确；
故选C。
10.【答案】D
【解析】A.由锗晶胞图可知，每个锗均形成了4个σ键，为S P
3杂化，键角为109°28′，故A 正确；
B.由均摊法得，硅锗合金晶胞中含有Si原子个数为2× 1
2 =1，Ge原子个数为4+ 4× 1
2 +8× 1
8 =7，晶胞体
积为
10
−30a
3c m
3
，
，
，故B 正
确；
C.原子①位于右后方，分数坐标为(
3
4 , 3
4 , 1
4)，故C 正确；
D.硅、锗形成的晶体均为共价晶体，键长Si−Si<≥−≥¿，键长越长键能越小，熔点越低，故 D 错误；
答案选D。
11.【答案】D
【解析】A.由晶胞结构图，晶胞中Cu的个数为8× 1
8 +1=2，K的个数8× 1
4 +2= 4，F的个数
16× 1
4 + 4× 1
2 +2=8，则Cu、K、F的个数比为1:2:4，所以化合物X的化学式为K 2Cu F4，反应的方程
式为4 K +CuC l2+2 F2=2 KCl+ K 2Cu F4，所以CuC l2与F2的物质的量之比为1:2，A 正确；
B.基态F原子电子排布为1s
22s
22 p
5，电子占据5个原子轨道，有5种空间运动状态，B 正确；
C.由晶胞结构图，Cu原子填充在由F原子构成的八面体空隙中，C 正确；
D.化合物X的密度即晶体的密度，即ρ=
2× 218
N A
a
2c×10
−21 g⋅c m
−3，D 错误；
故选D。
12.【答案】B
【解析】A.由投影图可知，硼层中硼原子连接3个σ键，B原子价电子有3个，全部用于形成σ键，无孤电子
对，价层电子对数为3+0=3，杂化类型为s p
2，故A 错误；
B.由投影图可知，每个镁原子上层距离其最近的硼原子有6个，下层距离其最近的硼原子也有6个，共12
个，每个硼原子上层距离其最近的镁原子有3个，下层距离其最近的镁原子也有3个，共6个，则Mg、B原
子个数比为1∶2，化学式为Mg B2，故B 正确；
C.由投影图可知，每个镁原子上层距离其最近的硼原子有6个，下层距离其最近的硼原子也有6个，共12
个，故C 错误；
D.Mg层内存在金属键，不存在离子键，故D 错误；
故选B。
13.【答案】D
【解析】A.合金属于金属晶体，金属晶体的主要作用力为金属键，故A 正确；
B.未吸收氢气时，钛位于立方体的顶点，铁位于体心，故B 正确；
C.由图2可知，该晶体中每个Fe被8个Ti所形成的立方体包围，每个Ti亦被8个Fe所形成的立方体包围，即
钛铁合金中每个Ti周围距离最近且等距的Fe有8个，故C 正确；
D.由图1可知，Ti位于晶胞的顶点和棱上，Fe位于晶胞内部，H位于体心和面上，因此每个晶胞中含有的
Ti原子个数=8× 1
8 + 4× 1
4 =2，含有的Fe原子个数=2，含有的H原子个数=10× 1
2 +1=6，Ti：Fe：
H =2：2：6=1：1：3，则理论上形成的金属氢化物的化学式：TiFe H 3，故D 错误；
故选D。
14.【答案】C
【解析】【分析】
由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点和体心的C60个数为8× 1
8 +1=2，位于面上的钾原子个数为12× 1
2 =6
，则晶胞的化学式为K 3C60。
A.由分析可知，晶胞的化学式为K 3C60，则钾原子和碳原子的个数比为3：60=1：20，故A 错误；
B.由晶胞结构可知，晶胞中位于体心的C60与邻近的6个面上的钾原子距离最近，每个面上有2个钾原子，
则晶胞中与C60最近且距离相等的钾原子是12个，故B 错误；
C.由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点C60与6个C60形成正八面体，所以将C60看作顶点，该晶体中C60构成
的多面体有8个面，故C 正确；
D.设晶体的密度为dg/c m
3，由晶胞的质量公式可得： 2×837
N A
=(10
−10 a)
3d，解得d = 1.674×10
33
a
3 N A
，
故D 错误；
故选C。
15.【答案】B
【解析】A.根据化学式Li2(OH )Cl知，该晶胞中应该含有2个Li
+，
图2中C l
−个数为1，O H
−个数为 8× 1
8 =1 ，Li
+个数为 12× 1
4 =3 ，而由化学式Li2(OH )Cl知，该晶胞
中含有2个Li
+，锂离子的缺位率为 3−2
3
= 1
3 ，A 正确；
B.图2晶胞中，晶胞中位于体心的氯离子与位于12条棱上的锂离子距离最近，但离子的缺位率为 1
3 ，则氯
离子周围紧邻的锂离子平均数目为12× (1−1
3) =8，B 错误；
C.图1中C l
−个数为2，O H
−个数为 8× 1
8 + 4× 1
4 =2 ，立方体中Li
+个数为 8× 1
4 +1+2× 1
2 = 4 ，则晶体
密度为
2 M
N A
abc ×10
21 g⋅c m
−3=
2 M
abc N A
×10
21 g⋅c m
−3 ；结合A分析，图2中晶胞密
度
M
N A
d
3 ×10
21g⋅c m
−3=
M
d
3 N A
×10
21g⋅c m
−3 ，两种晶型的密度近似相等，
则 2 M
abc N A
×10
21 g⋅c m
−3=
M
d
3 N A
×10
21 g⋅c m
−3
， c = 2d
3
ab ，C 正确；
D. Li2(OH )Cl 中存在锂离子、氯离子、氢氧根离子，为离子晶体，氢氧根离子中存在氢氧共价键，故晶
体中含有离子键和共价键，D 正确；
故选B。
16.【答案】D
【解析】【分析】短周期主族元素X、Y 、Z、W 的原子序数依次增大。X是密度最小的金属，X是Li，
基态Y 原子中p能级和s能级上的电子数相同，Y 为O，Y 与Z同主族，Z为S，W 是Cl；即X、Y 、Z、W
分别是Li、O、S、Cl；
A.同周期从左到右原子半径逐渐减小，同主族从上到下原子半径逐渐增大，故原子半径
r(O)<r(Cl)<r(S)，故A 错误；
B.同主族从上到下第一电离能逐渐减小，同周期从左到右第一电离能呈增大趋势，第一电离能：
I 1( Li)< I 1(S)< I 1(O)，故B 错误；
C.由晶胞示意图可知，晶胞中Z的配位数为8，故C 错误；
D.由晶胞示意图可知，晶胞中含有4个Li2S，晶胞的质量为 4×46
N A
g ，晶胞的体积为 a
3×10
−30c m
3 ，故
晶胞的密度为 m
V =
4×46
N A
g
a
3×10
−30c m
3
= 184×10
30
N A a
3
g⋅c m
−3，故D 正确；
答案选D。
17.【答案】C
【解析】A.聚硅烷中n值不确定，其属于混合物，故A 正确；
B.以面心的Si原子为对象，其距离最近的2个C位于晶胞内部，面心的Si被两个晶胞共用，则Si的配位数为
4，故B 正确；
C.C原子与C原子的最短距离为面对角线的一半，即
❑√2
2 apm ，故C 错误；
D.根据均摊法，晶胞中含有Si原子个数为 8× 1
8 +6× 1
2 = 4 ，C原子个数为4，晶胞质量为 160
N A
g ，体积
为 (a×10
−10)
3c m
3 ，则该晶胞的密度为
160
N A×(a×10
−10)
3 g⋅c m
−3
，故D 正确；
故选C。
18.【答案】D
【解析】A.由均摊法得，结构1中含有Co的数目为4 + 4× 1
8 = 4.5，含有S的数目为1+12× 1
4 = 4，Co与
S的原子个数比为9：8，因此结构1的化学式为C o9 S8，故A 错误；
B.由图可知，晶胞2中S与S的最短距离为面对角线的 1
2 ，晶胞边长为a，即S与S的最短距离为：
❑√2
2 a ，
故B 错误；
C.晶胞3中距S最近的 Li 有8个，故C 错误；
D.当2个晶胞2放在一起时，截取第1个晶胞的右一半和第2个晶胞的左一半合并后就是晶胞3。根据晶胞2
的结构可知，S的个数为1+12× 1
4 = 4，Li的个数为8，则晶胞2表示的化学式为Li2S，在晶胞3中，S的
个数为8× 1
8 +6× 1
2 = 4，Li的个数为8，则晶胞3表示的化学式为Li2S，晶胞2和晶胞3表示同一晶体。
故D 正确；
故选D。
19.【答案】D
【解析】A. N i
3+
的价层电子排布式为 3d
7
，价电子排布图为
，选项A 正确；
B.与A点处的 N i
3+ 距离最近且相等的 A s
3− 有4个，NiAs原子之比为1∶1，As与周围的四个Ni形成正四
面体结构，选项B 正确；
C.根据选项B 分析可知，晶体中与N i
3+距离最近且相等的A s
3−有4个，选项C 正确；
D.设NiAs晶体最简式的式量为 M r (式量是指在化学物质的实验式中各原子的相对原子质量的总和)，晶体
密度为 ρ g⋅c m
−3 ，则设晶胞参数边长为anm，有 ρ= m
v =
4 M r
(a×10
−7)⋅N A
，边长 a=
3√
4 M r
ρ⋅N A
×10
7nm
，则存在该晶胞中最近的 N i
3+ 之间的距离为面对角线的一半
❑√a
2+a
2
2
=
❑√2a
2
=
❑√2
2
3√
4 M r
ρ⋅N A
×10
7nm ，
选项D 错误；
答案选D。
20.【答案】B
【解析】A.判断与N a
+等距离且最近的 N 3
− ，可以看上表面面心的N a
+，该晶胞体内有2个 N 3
− 与该N a
+
最近，在上方晶胞体内也有2个 N 3
− 与该N a
+最近，故与N a
+等距离且最近的 N 3
− 共有4个，A 正确；
B.N的原子序数为7，每个 N 3
− 共有7×3+1=22个电子，B 错误；
C.Na N 3中N a
+与 N 3
− 之间存在离子键， N 3
− 内存在共价键，C 正确；
D.Na N 3中N a
+与 N 3
− 的个数比为1：1，二者配位数相同，D 正确；
故选B。
